నైరూప్య

Gate Capacitance Extraction Two Dimensional T- Shaped Junction less Transistor Using Sentaurus TCAD

B Prashanth Kumar, G.Amarnath, G S Rao, Wasim Arif, and Srimanta Baishya

The junctionless transistor is one of the device structures which found tremendous potential in terms of reduction of short channel effects, scaling factors, capacitance & fabrication. In this paper we observed an improved gate capacitance (Cgg) in depletion and inversion regions of a T-shape double gate junctionless transistor with comparison to the single gate junctionless transistor for oxide thickness (tox), different doping concentration (ND) and Gate lengths (Lg).

నిరాకరణ: ఈ సారాంశం ఆర్టిఫిషియల్ ఇంటెలిజెన్స్ టూల్స్ ఉపయోగించి అనువదించబడింది మరియు ఇంకా సమీక్షించబడలేదు లేదా నిర్ధారించబడలేదు

ఇండెక్స్ చేయబడింది

Academic Keys
ResearchBible
CiteFactor
కాస్మోస్ IF
RefSeek
హమ్దార్డ్ విశ్వవిద్యాలయం
వరల్డ్ కేటలాగ్ ఆఫ్ సైంటిఫిక్ జర్నల్స్
విద్వాంసుడు
ఇంటర్నేషనల్ ఇన్నోవేటివ్ జర్నల్ ఇంపాక్ట్ ఫ్యాక్టర్ (IIJIF)
ఇంటర్నేషనల్ ఇన్స్టిట్యూట్ ఆఫ్ ఆర్గనైజ్డ్ రీసెర్చ్ (I2OR)
కాస్మోస్

మరిన్ని చూడండి